创飞芯源申请屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法专利，实现栅漏电荷的定向降低_资讯

创飞芯源申请屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法专利，实现栅漏电荷的定向降低

创始人

2026-01-20 23:38:19

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司申请一项名为“屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN121357943A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：半导体衬底；外延层；多个沟槽，形成在外延层中；源介质层，设置于沟槽的下部；第一多晶硅层，填充于沟槽的下部；栅介质层，设置于沟槽的上部；第二多晶硅层，设置于沟槽的上部，第一多晶硅层与第二多晶硅层之间设有隔离介质层；体区，设置于外延层表层；源区，设置于体区表层；层间介质层，设置于外延层上；源极金属，设置于层间介质层上并连接源区；栅极金属，设置于层间介质层上并连接第二多晶硅层；多个接触孔，第一多晶硅层选择性地与源极金属及栅极金属其中之一的电连接。本发明通过接触孔图案的拓扑优化设计，实现栅漏电荷的定向降低，同时保持器件的雪崩耐量和动态特性。

天眼查资料显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2247.191万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市创飞芯源半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息10条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资沟槽介质深圳市导体电荷晶体管专利硅层外延层层间介质层

上一篇：国电电力跌0.17%，成交额11.39亿元，后市是否有机会？

下一篇：隆扬电子：1月20日召开董事会会议

创飞芯源申请屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法专利，实现栅漏电荷的定向降低

相关内容

热门资讯