华进半导体申请半导体结构及其制备方法专利，便于形成性能更加优异的沟槽器件结构_资讯

华进半导体申请半导体结构及其制备方法专利，便于形成性能更加优异的沟槽器件结构

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2026-01-20 22:44:56

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国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121357911A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：在衬底上形成掩膜层；掩膜层包括刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，对衬底进行刻蚀，在衬底内形成沟槽；其中，在沟槽的深度方向上，沟槽包括多级子沟槽，子沟槽的侧壁为曲面。本申请技术方案中沟槽包括具有曲面的多级子沟槽，可以形成高深宽比的沟槽，还可以大幅增大沟槽的表面积，便于形成性能更加优异的沟槽器件结构。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46246.82万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目104次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1114条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资沟槽华进性能导体技术研发中心包括结构专利半导体衬底多级子

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