捷捷微电：与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发第三代半导体器件_资讯

捷捷微电：与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发第三代半导体器件

创始人

2026-01-20 16:11:33

0次

有投资者在互动平台向捷捷微电提问：“董秘你好，2026年1月，西电郝跃院士、张进成教授团队在《自然·通讯》和《科学进展》发表突破性成果，首创‘离子注入诱导成核’技术，解决了第三代半导体散热核心痛点，将半导体热阻降至原来的1/3，这一突破直接利好捷捷微电的氮化镓器件产业化进程，公司和西安电子科技大学郝跃院士团队的合作还在进行吗谢谢。”

针对上述提问，捷捷微电回应称：“尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。谢谢!”

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

张进成郝跃半导体公司中科院西安微电子捷捷电子科大碳化硅微电西安电子科大

上一篇：华天科技：公司将存储器先进封装作为重点方向

下一篇：沃格光电（603773）1月20日主力资金净卖出4477.96万元

捷捷微电：与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发第三代半导体器件

相关内容

热门资讯