飓芯科技申请减少半导体激光芯片漏电流专利，降低激光器的阈值电流_资讯

飓芯科技申请减少半导体激光芯片漏电流专利，降低激光器的阈值电流

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2026-01-20 15:43:11

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国家知识产权局信息显示，广西飓芯科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体激光芯片”的专利，公开号CN121355699A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体激光芯片，由下至上依次为包括衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、耗尽区调节层、绝缘层、P面电极，所述耗尽区调节层位于P型半导体层和绝缘层之间。该半导体激光芯片通过设置耗尽区调节层为金属层，并且耗尽区调节层的功函数小于P型半导体层的功函数，耗尽区调节层与P型半导体层的连接区为肖特基接触区，利用肖特基接触的电压调节机制，通过对耗尽区调节层加电压作用于接触界面时，势垒高度变大，增大耗尽区的范围，可以将空穴的活动边界与接触界面的边界拉开，更好的限制空穴溢出，降低激光器的漏电流，进而降低激光器的阈值电流，提高激光器的发光效率。

天眼查资料显示，广西飓芯科技有限责任公司，成立于2020年，位于柳州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本10300万人民币。通过天眼查大数据分析，广西飓芯科技有限责任公司参与招投标项目10次，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资降低激光半导体芯片调节专利阈值电流激光器电流肖特基调节层

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