中山大学申请低电阻率氧化锡基靶材专利，制成的镀膜成分均匀、电导率高、透过率高
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2026-01-19 15:38:29
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国家知识产权局信息显示，中山大学·深圳;深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司;中山大学申请一项名为“一种低电阻率氧化锡基靶材及其制备方法与应用”的专利，公开号CN121342502A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低电阻率氧化锡基靶材及其制备方法与应用。本发明的低电阻率氧化锡基靶材的制备方法包括以下步骤：混料、球磨、预烧、球磨、造粒、铸坯和烧结，预烧包含两个保温预烧阶段，第一个保温预烧阶段的气氛为惰性气体和氧气的混合气氛，第二个保温预烧阶段的气氛为真空、还原性气氛或惰性气氛。本发明的氧化锡基靶材采用阶段性分步预烧工艺制备，其具有结构和成分均匀、具备合适的孔隙率、电阻率低、镀膜过程中不易开裂等优点，制成的镀膜成分均匀、电导率高、透过率高，适合进行大规模工业化生产和应用。
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