中山大学申请低电阻率氧化锡基靶材专利，制成的镀膜成分均匀、电导率高、透过率高_资讯

中山大学申请低电阻率氧化锡基靶材专利，制成的镀膜成分均匀、电导率高、透过率高

创始人

2026-01-19 15:38:29

0次

国家知识产权局信息显示，中山大学·深圳;深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司;中山大学申请一项名为“一种低电阻率氧化锡基靶材及其制备方法与应用”的专利，公开号CN121342502A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种低电阻率氧化锡基靶材及其制备方法与应用。本发明的低电阻率氧化锡基靶材的制备方法包括以下步骤：混料、球磨、预烧、球磨、造粒、铸坯和烧结，预烧包含两个保温预烧阶段，第一个保温预烧阶段的气氛为惰性气体和氧气的混合气氛，第二个保温预烧阶段的气氛为真空、还原性气氛或惰性气氛。本发明的氧化锡基靶材采用阶段性分步预烧工艺制备，其具有结构和成分均匀、具备合适的孔隙率、电阻率低、镀膜过程中不易开裂等优点，制成的镀膜成分均匀、电导率高、透过率高，适合进行大规模工业化生产和应用。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示投资制成的成分气氛电阻率阶段镀膜应用氧化靶材锡基中山大学

上一篇：迪尔泰科技申请电路板与夹具拆装设备及夹具循环使用系统专利，在电路板的抓取、传送及加工过程中不容易碰伤、磨损电路板及其上的电子元器件

下一篇：大众汽车、保时捷、宝马以及梅赛德斯-奔驰在德国电子证券交易平台Tradegate交易中均下跌约3%

中山大学申请低电阻率氧化锡基靶材专利，制成的镀膜成分均匀、电导率高、透过率高

相关内容

热门资讯