江苏第三代半导体研究院申请氮化物外延片制备方法专利，提高氮化物外延片的亮度_资讯

江苏第三代半导体研究院申请氮化物外延片制备方法专利，提高氮化物外延片的亮度

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2026-01-19 12:08:37

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种氮化物外延片及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121358069A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种氮化物外延片及其制备方法和应用。该方法包括：在衬底上依次制备N型氮化物层与有源层；在通入包含活性元素的表面活性剂的条件下，在有源层上生长p型氮化物前层；p型氮化物前层包含不同的活性元素、第一及第二掺杂元素；在停止通入表面活性剂的条件下，在p型氮化物前层上沉积包含第一、第二掺杂元素的原子沉积层；在原子沉积层上生长具有第一掺杂元素的p型氮化物后层；进行热处理，使p型氮化物前层中的活性元素解吸附，并使原子沉积层中的第一、第二掺杂元素分别向p型氮化物前层、后层内迁移。本发明利用活性元素的解吸附和原子沉积层的扩散，提高p型氮化物层的空穴浓度，提高氮化物外延片的亮度，降低工作电压与droop效应。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息378条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示亮度氮化物投资半导体元素外延专利沉积层 p型外延片

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