美光科技申请存储器沟道结构专利，包含晶体结构的电介质层
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2026-01-19 11:39:03
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器沟道结构”的专利，公开号CN121357888A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本文中描述的实施例涉及各种存储器沟道结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施例中，半导体装置包含层堆叠及穿透到所述层堆叠中的支柱结构，所述层堆叠包含与导电层交替的电介质层。所述支柱结构包含半导电层、电介质填充物；及位于所述半导电层与所述电介质填充物之间且包含晶体结构的电介质层。所述半导体装置包含穿透到所述支柱结构中的插塞结构，其中所述插塞结构具有在所述半导电层上的第一部分且具有在所述电介质层上的第二部分。
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来源：市场资讯
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