华虹宏力申请半导体结构及其制造方法专利，有效降低开关损耗_资讯

华虹宏力申请半导体结构及其制造方法专利，有效降低开关损耗

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2026-01-17 19:38:36

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121357937A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域。该结构包括衬底、外延层、源漏区及栅极。其特征在于，在贯穿介电层的源极接触孔内部，设置有从源极区向下贯穿外延层并延伸至衬底的源极通孔；导电材料填充所述通孔和接触孔，实现源极区与衬底的电连接。本发明通过源衬短接，解决了现有氮化镓器件因类纵向体效应导致的沟道不稳、栅漏电容大及散热效率低等问题。该结构有效降低了开关损耗，显著提升了散热性能，且无需额外占用芯片面积，减小了器件尺寸。本发明还提供了相应的制造方法。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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