神州半导体申请半导体设备低温硬质阳极氧化处理方法及装置专利，提高膜层致密度与耐蚀性_资讯

神州半导体申请半导体设备低温硬质阳极氧化处理方法及装置专利，提高膜层致密度与耐蚀性

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2026-01-17 16:38:33

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国家知识产权局信息显示，江苏神州半导体科技有限公司申请一项名为“用于半导体设备的低温硬质阳极氧化处理方法及装置”的专利，公开号CN121321156A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了用于半导体设备的低温硬质阳极氧化处理方法及装置，涉及设备表面处理技术领域。方法包括：在阳极氧化处理前，执行铝合金表面图像采集，提取形貌特征集；配置表面预处理方案，执行铝合金表面的粗糙化处理；在配置电解液后，通过多阶段脉冲电源在电解液中执行铝合金表面的膜层生长协同调节，包括：输出第一协同参数和第二协同参数；根据第一协同参数、第二协同参数完成膜层生长调节后，执行高温强化封孔处理。解决了现有技术中半导体设备铝合金部件阳极氧化膜层在低温环境下易出现孔隙不均、膜层致密性不足的技术问题，达到了通过多阶段脉冲电源与实时传感协同寻优控制实现膜层均匀生长、提高膜层致密度与耐蚀性的技术效果。

天眼查资料显示，江苏神州半导体科技有限公司，成立于2016年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6600万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏神州半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息179条，此外企业还拥有行政许可25个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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