国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司、重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“SOI衬底的制备方法”的专利，公开号CN121335202A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明所要解决的技术问题是，提供一种SOI衬底的制备方法，能低成本、高灵活性的控制顶层半导体层导电类型。为了解决上述问题，本发明提供了一种SOI衬底的制备方法，包括：提供器件衬底和支撑衬底；在所述器件衬底表面形成外延层；在所述外延层中形成剥离层；在所述支撑衬底和/或外延层的表面形成绝缘层；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底和器件衬底键合；从所述剥离层所在位置解离键合后的衬底，形成SOI衬底。采用上述方法制备的SOI衬底，可以根据最终SOI衬底对顶层半导体层的要求对外延层导电类型进行独立调节，不受器件衬底的导电类型限制。可以确保采用普通的器件衬底，辅以外延手段即可获得任意导电类型的顶层半导体层。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息258条，此外企业还拥有行政许可193个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息165条，此外企业还拥有行政许可17个。

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来源：市场资讯