长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法专利，提高半导体器件的响应速度_资讯

长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法专利，提高半导体器件的响应速度

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2026-01-17 09:38:14

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121335160A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和沟槽，第一区域设置为第一导电类型，阱区设置为第二导电类型；第二区域设置为第一导电类型且位于沟槽的底部，第三区域设置为第一导电类型且位于第二区域远离沟槽的一侧，第三区域和第二区域接触；第四区域设置为第二导电类型，且在垂直于第一表面指向第二表面的方向上，第四区域位于第三区域的一侧；第一导电类型和第二导电类型不同。本申请实施例的技术方案，可以减小半导体器件的导通电阻，缩减元胞尺寸，提高半导体器件的响应速度和可靠性。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目40次，专利信息110条，此外企业还拥有行政许可62个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法显示先进半导体导电投资武汉专利区域类型沟槽器件半导体

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