粤芯半导体申请efuse读写电路及其读写方法专利，解决了efuse存储阵列在整个读写电路中占比较小的问题_资讯

粤芯半导体申请efuse读写电路及其读写方法专利，解决了efuse存储阵列在整个读写电路中占比较小的问题

创始人

2026-01-15 20:10:20

0次

国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“efuse读写电路及其读写方法”的专利，公开号CN121331196A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种efuse读写电路及其读写方法，efuse读写电路包括至少一个efuse读写区块。efuse读写区块包括：efuse存储阵列，包括若干个存储单元；编程控制模块，包括n个编程控制单元，分别连接各位线的第一端，通过与字线配合选中任意存储单元并对选中存储单元进行编程操作；读取控制模块，包括n个读取控制单元，分别连接各位线的第二端，通过与字线配合选中任意存储行；数据读取模块，包括n个数据读取单元，分别连接于各位线的第二端和各读取控制单元之间，基于参考信号对选中存储行的各存储单元进行读取操作；参考信号模块，用于提供参考信号。通过本发明解决了efuse存储阵列在整个读写电路中占比较小的问题。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目133次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1035条，此外企业还拥有行政许可129个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资控制电路 efuse 读取模块导体专利阵列字线单元

上一篇：应用端需求波动导致钽/叠层电容成本失控？固态电容及固液混合电容如何成为更可控的方案

下一篇：恒烁半导体申请NOR存储器电荷状态检测电路专利，可提高检测效率

粤芯半导体申请efuse读写电路及其读写方法专利，解决了efuse存储阵列在整个读写电路中占比较小的问题

相关内容

热门资讯