中科无线申请氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法专利，显著提高缺陷检测的全面性和准确性_资讯

中科无线申请氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法专利，显著提高缺陷检测的全面性和准确性

创始人

2026-01-15 10:39:31

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国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法”的专利，公开号CN121324382A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氧化镓基发光二极管外延结构缺陷检测方法，涉及电学领域，包括步骤S1：将目标外延结构区域划分为若干子区域，获取各子区域在不同光谱下的色彩异常值及区域异常面积比，形成静态检测数据；步骤S2：基于静态检测数据进行静态缺陷检测，若无静态缺陷则进行动态检测，获取峰值发光亮度偏差；步骤S3：根据动态检测数据发布静态或动态缺陷预警。本发明通过多光谱协同分析和动静态结合检测，显著提高了缺陷检测的全面性和准确性。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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