芯联集成申请RC-IGBT及其制造方法专利，通过精简工艺步骤有效降低FRD阳极区的接触电阻_资讯

芯联集成申请RC-IGBT及其制造方法专利，通过精简工艺步骤有效降低FRD阳极区的接触电阻

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2026-01-13 14:11:46

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国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“RC-IGBT及其制造方法”的专利，公开号CN121310558A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种RC‑IGBT及其制造方法，所述RC‑IGBT包括衬底，所述衬底包括IGBT区和FRD区，所述FRD区具有低掺杂浓度的阳极区，本发明提供的制造方法，在通过沉积导电材料并回刻导电材料以在IGBT区上方的接触孔内形成导电插塞之后，再进一步利用刻蚀工艺，至少去除位于FRD阳极区上方的金属阻挡层，使得后续形成的正面金属层与FRD区的阳极区直接形成电连接，本发明提供的所述制造方法，通过精简的工艺步骤，有效降低了FRD阳极区的接触电阻，且可以无需增加额外的光罩，成本效益高。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1733次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息782条，此外企业还拥有行政许可43个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法导电步骤投资降低阳极工艺专利芯联衬底孔内阳极区

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