中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，能够形成电容密度较高且能够灵活调节的电容结构_资讯

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，能够形成电容密度较高且能够灵活调节的电容结构

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2026-01-12 20:10:29

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121310845A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括多个电容区，基底上形成有第一介电层，电容区的第一介电层中形成有凹槽；自下而上依次堆叠的多层电极层，位于电容区的第一介电层上，其中，位于最底层的电极层覆盖凹槽的侧壁和底面、以及第一介电层的部分顶面，且位于最底层的电极层的上表面下凹至凹槽中；介质层，位于纵向上相邻的电极层之间。本发明能够形成电容密度较高且能够灵活调节的电容结构。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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