南亚科技申请半导体结构制造方法专利，减少主动区之间沉积粗糙硅所造成的短路
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2026-01-12 18:12:11
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN121310991A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤。提供基板，在基板中形成沟槽，其中主动区从基板突出并且主动区具有第一宽度。在主动区和沟槽的侧壁上形成薄硅层。通过提供氧气气流在薄硅层上形成第一氧化物层，其中在400℃至600℃的温度范围内形成第一氧化物层。形成第二氧化物层以填充沟槽并覆盖主动区，其中第二氧化物层的形成温度高于第一氧化物层的形成温度。执行退火工艺以使薄硅层结晶。本发明的方法可以通过简单的工艺增加主动区的尺寸，同时减少主动区之间沉积粗糙硅所造成的短路。
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