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华为申请制造纳米片基器件的设备和方法专利，减少场效应晶体管中的寄生电容

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2026-01-12 11:39:45

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“制造纳米片基器件的设备和方法”的专利，公开号CN121310647A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，一种半导体器件及用于制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有图案化栅极，以减少场效应晶体管(field effect transistor，FET)，特别是互补场效应晶体管(complementary field effect transistor，CFET)中的寄生电容。所述图案化栅极沿着所述栅极的纵轴从顶部到底部具有凸形或凹形的边缘。所述栅极和半导体通过内隔片和外隔片电隔离。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示栅极投资的设备器件 effect 晶体管专利纳米半导体纳米片基器件

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