湖北江城芯片申请半导体结构及其制造方法专利，部分研磨液流入第一开口中使磨料颗粒保留在第一开口中_资讯

湖北江城芯片申请半导体结构及其制造方法专利，部分研磨液流入第一开口中使磨料颗粒保留在第一开口中

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2026-01-12 10:12:21

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国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121310997A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供第一介质层；第一介质层中形成有多个第一互连结构；在第一介质层上形成第二介质层；形成穿过第一介质层并延伸至第二介质层中的第一开口；第一开口位于沿着第一方向相邻的第一互连结构之间；第一方向与第二方向垂直，第二方向为半导体结构的厚度方向；通过第一化学机械抛光对第二介质层进行减薄处理；在第一化学机械抛光的过程中，部分研磨液流入第一开口中；进行第一干燥处理，使研磨液中的磨料颗粒保留在第一开口中。

天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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