中欣晶圆申请降低重掺磷硅单晶头部电阻率制备方法专利，排出硅熔体中的杂质气体_资讯

中欣晶圆申请降低重掺磷硅单晶头部电阻率制备方法专利，排出硅熔体中的杂质气体

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2026-01-12 09:38:44

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国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法”的专利，公开号CN121295324A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，一种降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法，包括以下步骤：将原生多晶硅原料进行化料，化料完成后，获得熔化的硅熔体；对熔化的硅熔体进行高温排气处理工序，排出硅熔体中的杂质气体；对完成高温排气处理工序的硅熔体进行一次安定工序；对完成一次安定工序的硅熔体进行投掺工序；对完成投掺工序的硅熔体进行二次安定工序。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息362条，此外企业还拥有行政许可25个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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