京东方华灿光电申请石墨基座和发光二极管的制备方法专利，提升发光二极管的亮度均匀性_资讯

京东方华灿光电申请石墨基座和发光二极管的制备方法专利，提升发光二极管的亮度均匀性

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2026-01-10 21:39:06

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“石墨基座和发光二极管的制备方法”的专利，公开号CN121295343A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种石墨基座和发光二极管的制备方法，属于外延生长技术领域。该石墨基座的表面具有多个开口，所述多个开口包括位于所述石墨基座的中心区域的多个内圈孔和位于所述石墨基座的周边边缘的多个外圈孔，多个所述外圈孔环绕多个所述内圈孔；所述外圈孔的圆心至所述石墨基座的中心的距离与所述石墨基座的半径的比值小于或者等于0.8。本公开能改善石墨基板生长的外延层的厚度不均匀的问题，提升发光二极管的亮度均匀性。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目100次，专利信息601条，此外企业还拥有行政许可49个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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