三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，可有效避免发光二极管出现漏电情形_资讯

三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，可有效避免发光二极管出现漏电情形

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2026-01-10 15:08:24

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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121310735A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，发光二极管包括半导体叠层和钝化层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有第一台面、高于第一台面的第二台面和上下两端分别连接第二台面和第一台面的侧壁，第一台面露出部分第一半导体层，钝化层覆盖部分半导体叠层并至少露出部分侧壁。借此，可有效避免发光二极管出现漏电情形的同时，保障亮发光二极管的度及可靠性不受影响。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息629条，此外企业还拥有行政许可368个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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