芯晟半导体取得用于MEMS贯穿器件蚀刻的治具专利,能够避免对下电极造成蚀刻
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2026-01-10 12:11:26
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国家知识产权局信息显示,浙江芯晟半导体科技有限责任公司取得一项名为“一种用于MEMS贯穿器件蚀刻的治具”的专利,授权公告号CN223786451U,申请日期为2025年1月。

专利摘要显示,本实用新型涉及一种用于MEMS贯穿器件蚀刻的治具,其特征在于,包括放置盘,所述放置盘两侧作为接触面和放置面,所述接触面用于与下电极接触,所述放置面用于承载晶圆,所述放置面设有放置槽,所述放置槽用于放置晶圆,所述放置盘通过放置面与下电极接触而铺设于下电极,以使晶圆与下电极隔开,所述放置盘上设有贯穿的顶升销孔,所述顶升销孔为多个且彼此间隔设置,所述顶升销孔用于供顶升杆通过。本实用新型具有以下优点和效果:能够避免对下电极造成蚀刻的同时,确保晶圆放置时的平整度。

天眼查资料显示,浙江芯晟半导体科技有限责任公司,成立于2023年,位于嘉兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本202000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江芯晟半导体科技有限责任公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目168次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息45条,此外企业还拥有行政许可8个。

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来源:市场资讯

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