东莞记忆存储申请PCB过孔同轴结构及其制备方法专利，显著提升高速信号传输质量与完整性_资讯

东莞记忆存储申请PCB过孔同轴结构及其制备方法专利，显著提升高速信号传输质量与完整性

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2026-01-10 10:08:51

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国家知识产权局信息显示，东莞记忆存储科技有限公司申请一项名为“一种PCB过孔同轴结构及其制备方法”的专利，公开号CN121310408A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种PCB过孔同轴结构及其制备方法，涉及电子制造技术领域。该PCB过孔同轴结构设置于PCB上，其包括：过孔、导电镀层和塞孔体。其中，过孔贯穿PCB设有至少一个。导电镀层覆盖于过孔的内壁，与PCB的至少一个参考平面电性连接，以作为信号的参考回流导体；塞孔体固定设置于过孔内，包括柱状内导体以及包裹柱状内导体的侧壁的绝缘介质层；柱状内导体用于传输信号，其两端从绝缘介质层中外露，以与PCB的信号传输组件电性连接。本发明的PCB过孔同轴结构重构过孔内部的电磁场分布，显著改善了传统过孔因回流路径不连续导致的阻抗失配、回波损耗大及串扰严重的问题，显著提升了高速信号的传输质量与完整性。

天眼查资料显示，东莞记忆存储科技有限公司，成立于2012年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19800万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞记忆存储科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，专利信息216条，此外企业还拥有行政许可78个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法投资显著提升传输东莞完整性信号过孔结构专利柱状塞孔体导体孔同轴

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