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鹏芯微申请半导体器件制造方法专利，能够减低半导体器件的寄生电容

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2026-06-24 21:14:12

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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”的专利，公开号CN122269733A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍片结构，鳍片结构包括交替层叠的第一半导体材料层和第二半导体材料层；形成横跨鳍片结构的伪栅结构；形成覆盖伪栅结构以及鳍片结构的第一牺牲层；对鳍片结构进行刻蚀，以露出其第一表面；刻蚀第一半导体材料层的端部，以形成内间隔凹槽；在内间隔凹槽中形成第二牺牲层；去除伪栅结构，以形成栅极凹槽，栅极凹槽露出鳍片结构的第二表面；通过第二表面去除第一半导体材料层；形成包围第二半导体材料层的金属栅结构；去除第一牺牲层和第二牺牲层，以形成内间隔空气隙。本发明形成内间隔空气隙，能够减低半导体器件的寄生电容。

天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息72条，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可215个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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