旺宏电子申请三维半导体装置叠层专利，实现非易失性存储器阵列的灵活选择
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2026-01-10 09:09:24
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维半导体装置叠层、具有其的系统，及其操作方法”的专利，公开号CN121310539A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种三维半导体装置叠层、具有其的系统，及该三维半导体装置叠层的操作方法。三维半导体装置叠层包含第一与第二非易失性存储器阵列装置，以及功能性装置。第一与第二非易失性存储器阵列装置分别包含多个区块。功能性装置电性连接第一与第二非易失性存储器阵列装置，其中功能性装置包含Z方向切换器以及区块切换器。Z方向切换器设置以选择第一非易失性存储器阵列装置与第二非易失性存储器阵列装置的其中一个。区块切换器设置以从所选择的第一非易失性存储器阵列装置中选择区块的其中一个，或是从所选择的第二非易失性存储器阵列装置中选择区块的其中一个。
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