京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，保护结构可覆盖锡球电极_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，保护结构可覆盖锡球电极

创始人

2026-01-09 09:08:12

0次

国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号CN121285110A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。方法包括：在衬底上制作外延结构；在外延结构上形成锡球电极；在锡球电极上形成保护结构，保护结构包括第一保护层和第二保护层，第一保护层覆盖锡球电极，第二保护层覆盖第一保护层，第一保护层的硬度大于锡球电极和第二保护层；减薄衬底；去除保护结构。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可42个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示电极投资京东方浙江保护结构专利锡球保护层灿光电二极管

上一篇：重大通报“云南山水麻将有挂吗”!外卦神器下载

下一篇：重大发现“永盈棋牌是不是有挂”!透视曝光猫腻

京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，保护结构可覆盖锡球电极

相关内容

热门资讯