前言

在刚刚结束的2025火山引擎FORCE原动力大会·冬上，全球领先的电源管理公司Empower Semiconductor正式推出了其专为AI和高性能计算芯片而设计的、基于IVR技术的Crescendo垂直供电解决方案，以应对高性能计算的千瓦级功率需求和kA+/us的瞬态电流跳变对传统电源方案带来的巨大挑战，并系统展示了其技术特色与产品布局。

本次发布重点呈现两条核心产品线，即Crescendo千瓦级垂直供电平台以及面向电源/信号完整性的ECAP硅电容。Empower利用独家的 FinFast 技术，结合领先的控制、磁性和封装能力，实现了带宽高达5M的高频DCDC解决方案Crescendo，并结合ECAP极致的高频去耦性能，Empower 把供电从传统的堆料式去耦与横向送电，推进到更贴近负载、更高效率、更高密度的系统级供电形态。

Empower Semiconductor 也在大会期间接受了充电头网的采访。更多内容请观看上方视频。接下来充电头网也将详细介绍一下本次发布的全新产品。

Crescendo千瓦级垂直供电平台

本次大会的核心焦点无疑是 Empower 针对高性能AI 处理器（xPU）推出的 Crescendo 垂直供电平台。

在大会现场，Empower 展示了该平台如何通过消除传统横向供电的链路损耗，实现电源效率质的飞跃。

通过资料文档和现场工作人员的专业介绍，充电头网也将该产品的性能和优势简单概括了一下：

● 千瓦级性能： Crescendo 简单易用，采用Power Leaf 模块化架构，单个 Power Leaf可输出 65A 电流，最高可扩展至 3250A 峰值电流，专为千瓦级 AI 和 HPC 负载设计。热阻更是低于 2°C/W，表现十分优异。

● 极致响应速度与更低功耗： 针对 AI 负载瞬息万变的特性，Crescendo 也具备非常惊人的瞬态响应能力。数据显示，其响应速度比传统 VRM快约 10倍，Droop voltage减小50%。这意味着更稳定的供电，由此可以优化芯片的工作电压，使AI芯片在单位功率下的计算性能提升10%以上。

● 密度与效率更优秀： 相比传统方案，Crescendo 能大幅提升功率密度，同时将PCB上的路径损耗降低80%，使服务器板卡的系统效率提升5%以上。

高性能ECAP硅电容

在电源与信号完整性方向，Empower 的 ECAP硅电容定位为面向高性能计算平台的新一代去耦器件，采用 Deep Trench 深沟槽技术，主打 <1pH 的超低 ESL 与 <5 mΩ 的超低 ESR，并覆盖 10MHz–10GHz 的宽频特性，适合用在对电源噪声和瞬态电流更敏感的 AI/HPC 平台上。对于系统设计而言，ECAP的价值在于能更简单的把 PDN 的高频阻抗压得更低，让系统在更高频段也能轻松满足设计指标，从而为电压纹波控制与电源完整性留出更大的设计余量。

ECAP 也更贴近先进封装的装配方式，既支持基板内嵌，也支持 die/land side 贴装，并支持 50µm 的超薄形态，同时可以定制厚度与大小，方便在空间极其紧张的封装内实现就近去耦。同时，ECAP 无 DC/AC 降额、无老化或温度降额，有助于在高频去耦与长期稳定性设计中减少因降额带来的裕量压力。Empower 亦提供硅电容的定制化设计与制造服务，可围绕特定应用的性能目标与物理/机械约束，定义并实现更贴合系统的电容形态与参数组合，提升在先进封装与高密度电源网络中的工程适配度。

Empower的技术体系

最后就是Empower的技术体系了，这是Empower 面向 AI/HPC 高功耗密度场景构建的一套底层电源技术体系，覆盖器件、控制、磁性与封装散热等领域。该体系以FinFAST技术为基础，大幅提高功率器件的性能，使DCDC的开关频率能提高百倍以上，突破100MHz，并结合先进的数字控制技术和先进的无源器件，使DCDC的带宽突破10MHz。同时依托定制化的封装与双面散热设计，将热阻指标推进至 0.8°C/W 水平。

充电头网总结

这次 Empower Semiconductor 通过发布 Crescendo 垂直供电平台与 ECAP 硅电容 ，构建了一套完整的千瓦级AI时代的供电生态。AI 时代的来临让服务器的功耗越来越高，电源系统的竞争也不再只是那几个百分点的效率提升，而是瞬态响应、功率密度、热管理与可量产落地之间的综合平衡。Empower 用 FinFast 把器件、控制、磁性与封装散热归一到一颗小小的芯片内，对整机厂、加速卡方案商以及先进封装生态而言，这种从供电路径、去耦配置到热设计一体化推进的思路，让后续更强算力的芯片有了一条更容易复用、也更容易量产落地的供电路线。