京东方华灿光电申请改善刻蚀异常的发光二极管专利，能改善反射镜层易被侵蚀的问题_资讯

京东方华灿光电申请改善刻蚀异常的发光二极管专利，能改善反射镜层易被侵蚀的问题

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2026-01-08 09:38:54

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121285113A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层、复合阻挡层和反射镜层，所述反射镜层和所述外延层分别位于所述复合阻挡层的相反两个表面上，所述外延层在所述复合阻挡层的远离所述外延层的表面的正投影位于所述反射镜层在所述复合阻挡层的远离所述外延层的表面的正投影内，所述复合阻挡层的厚度大于或者等于6000埃。本公开实施例能改善刻蚀外延层过程中，反射镜层容易被侵蚀的问题。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可42个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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