星钥半导体取得蚀刻腔室及刻蚀设备专利，提升刻蚀的均匀性_资讯

星钥半导体取得蚀刻腔室及刻蚀设备专利，提升刻蚀的均匀性

创始人

2026-01-07 11:11:28

0次

国家知识产权局信息显示，星钥半导体（武汉）有限公司取得一项名为“一种蚀刻腔室及刻蚀设备”的专利，授权公告号CN223771097U，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种蚀刻腔室及刻蚀设备，应用于半导体技术领域，包括腔体、静电吸盘和气流控制器；静电吸盘和气流控制器均设置于腔体内，腔体设置有进气通道以及出气通道，以在腔体内形成气体流动方向；在气体流动方向上气流控制器位于静电吸盘靠近进气通道的一侧；气流控制器包括呈阵列分布的多个气流控制单元和多个进气口，每个气流控制单元连接至少一个进气口，每个气流控制单元均单独与控制芯片通信连接。通过上述结构可以使得各个气流控制单元独立的工作，此时向腔体内通入气体时，通过上述气流控制器可以精确的控制进入腔体内刻蚀气体的位置，通过对刻蚀气体通入位置精确的调控可以提升刻蚀的均匀性。

天眼查资料显示，星钥半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2494.5263万人民币。通过天眼查大数据分析，星钥半导体（武汉）有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息22条，专利信息129条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示气流气体投资控制半导体吸盘静电专利气流控制器刻腔室

上一篇：半导体设备股反复活跃，中微公司、北方华创涨超5%续创历史新高

下一篇：乾壬半导体取得VOCs低温回收装置专利，能在一定程度上降低能源消耗

星钥半导体取得蚀刻腔室及刻蚀设备专利，提升刻蚀的均匀性

相关内容

热门资讯