国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器及其制造方法”的专利,公开号CN121284969A,申请日期为2021年9月。
专利摘要显示,本申请提供了一种三维存储器及其制造方法,该三维存储器包括堆叠结构,堆叠结构包括第一堆叠层和第二堆叠层,其中,第一堆叠层包括交替堆叠的控制栅极层和第一介质层,第二堆叠层包括交替堆叠的顶部选择栅极层和第二介质层;多个沟道结构,沟道结构贯穿堆叠结构并包括电荷存储层,电荷存储层包括沿堆叠结构的堆叠方向间断设置的多个电荷存储部分,电荷存储部分设于相邻的所述第一介质层之间;以及至少一个隔离结构,贯穿顶部选择栅极层且位于相邻的沟道结构之间。本申请实施方式提供三维存储器及制造方法能够维持顶部选择栅切线的工艺窗口不变,减少存储密度损失。
天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目1439次,财产线索方面有商标信息974条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可995个。
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来源:市场资讯