三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，提高发光二极管的工作稳定性和可靠性_资讯

三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，提高发光二极管的工作稳定性和可靠性

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2026-01-06 09:11:21

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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121262960A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括隔离台面和发光区台面，隔离台面围绕发光区台面设置，且隔离台面与发光区台面之间具有间隔区域；发光区台面下方设置有吸光材料层，吸光材料层的外边缘位于间隔区域所对应的区域内。吸光材料层的外边缘设置于间隔区域所对应的区域内，能够吸收工艺中产生的杂散光或反射光，改善间隔区域的光刻图形精度，消除因光刻胶覆盖氮化镓导致产生氮化镓残留的问题，切断隔离台面与发光区台面之间潜在的漏电流路径，降低发光二极管的漏电流，提高发光二极管的工作稳定性和可靠性。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息624条，此外企业还拥有行政许可368个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示间隔投资台面泉州装置导体专利区域发光区材料层二极管

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