京东方华灿光电申请发光二极管制备方法专利，形成隔离槽和台阶结构_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管制备方法专利，形成隔离槽和台阶结构

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2026-01-05 16:08:17

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管制备方法”的专利，公开号CN121262947A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管制备方法。该方法包括：在衬底上依次制作外延层和透明导电层；在透明导电层表面制作第一光刻胶结构，在第一光刻胶结构覆盖下露出透明导电层的边缘部分；在第一光刻胶结构遮挡下，对透明导电层进行第一次腐蚀，去除透明导电层的边缘部分；在第一光刻胶结构和透明导电层遮挡下，对外延层进行第一次刻蚀，形成隔离槽，并且第一光刻胶结构经过第一次刻蚀形成覆盖范围更小的第二光刻胶结构；在第二光刻胶结构遮挡下，对透明导电层进行第二次腐蚀，去除透明导电层的边缘部分；在第二光刻胶结构和透明导电层遮挡下，对外延层进行第二次刻蚀，形成台阶；去除第二光刻胶结构。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，专利信息1035条，此外企业还拥有行政许可42个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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