北方集成申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件的可靠性_资讯

北方集成申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件的可靠性

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2026-01-02 12:09:09

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121237729A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的第一面和第二面，在所述半导体衬底的第二面依次形成背面介质层和第一键合层，并在所述第一键合层表面键合第一支撑基片；减薄所述半导体衬底的第一面，在所述半导体衬底的第一面上形成第一层间介质层以及第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层和部分所述第一层间介质层形成第一开口，沿所述第一开口的一部分继续刻蚀所述第一层间介质层、半导体衬底和所述背面介质层至暴露所述第一键合层，形成硅通孔；在所述第一开口以及所述硅通孔中一体化形成第一金属互连结构和TSV互连结构。所述方法可以提高器件的可靠性。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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