中芯国际申请半导体结构形成方法专利，在沟道层之间和/或沟道层与基底之间形成内沟槽_资讯

中芯国际申请半导体结构形成方法专利，在沟道层之间和/或沟道层与基底之间形成内沟槽

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2026-01-01 22:09:43

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121240478A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有包括沟道叠层的沟道凸起结构，沟道叠层包括第一牺牲层和沟道层，沟道凸起结构上形成有伪栅结构；去除伪栅结构两侧的沟道凸起结构；对第一牺牲层进行横向去除操作，在沟道层之间，和/或，沟道层和基底之间形成内沟槽，横向去除操作包括：形成覆盖在沟道层和第一牺牲层端部的第二牺牲层；对第二牺牲层进行第一横向去除处理，露出第一牺牲层端部，第一横向去除处理对第一牺牲层上的第二牺牲层的横向去除量，大于对沟道层上的第二牺牲层的横向去除量；对第一牺牲层进行第二横向去除处理，去除第一部分宽度的第一牺牲层；去除第二牺牲层，在内沟槽中形成内侧墙后，形成源漏掺杂层。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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