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晋华集成电路申请半导体器件及其制备方法专利，提高半导体器件的性能

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2026-01-01 20:38:15

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国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121240482A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，衬底上包括由下至上堆叠的锗硅层和第一硅盖层；依次形成第一界面层和栅极氧化层位于第一区域和第二区域的第一硅盖层上；去除第一区域上的栅极氧化层和第一界面层；形成第二硅盖层位于第一区域的第一硅盖层上；形成第二界面层位于第一区域的第二硅盖层上；以及依次形成高K介质层和导电层位于第一区域的第二界面层上和第二区域上。本发明能够减少锗硅层和栅极氧化层中的内部缺陷，从而提高半导体器件的性能。

天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目561次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息988条，此外企业还拥有行政许可76个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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