唐晶量子申请VCSEL外延片电阻率分布测量方法专利，提高了垂直电阻率的测量准确性_资讯

唐晶量子申请VCSEL外延片电阻率分布测量方法专利，提高了垂直电阻率的测量准确性

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2026-01-01 20:08:23

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国家知识产权局信息显示，西安唐晶量子科技有限公司申请一项名为“一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统”的专利，公开号CN121231976A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于半导体器件性能测试技术领域，具体涉及一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统，其方法包括：构建表征外延片的三维离散化模型和包含垂直电阻率、顶部横向电阻率及衬底漏电结非线性电阻的未知参数向量；定义物理响应函数，通过离散点拟合算法，迭代该向量使函数输出的模拟电压差与跨数量级电流下的实测电压值之间的总残差最小，从最优参数向量中提取真实的垂直电阻率；并在二维测试点网格上获取各点垂直电阻率以生成分布图并进行异常检测。本发明解决了衬底漏电缺陷导致的测量失真问题，提高了垂直电阻率的测量准确性。

天眼查资料显示，西安唐晶量子科技有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本4108.612516万人民币。通过天眼查大数据分析，西安唐晶量子科技有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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