新创元半导体申请具有多自由度蚀刻位置调节能力的IC载板蚀刻控制方法专利，提高了蚀刻补偿的精确度和补偿效率_资讯

新创元半导体申请具有多自由度蚀刻位置调节能力的IC载板蚀刻控制方法专利，提高了蚀刻补偿的精确度和补偿效率

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2026-01-01 14:37:45

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国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“具有多自由度蚀刻位置调节能力的IC载板蚀刻控制方法”的专利，公开号CN121240341A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有多自由度蚀刻位置调节能力的IC载板蚀刻控制方法，包括：在待蚀刻板件上设置多个测量点位，测量各测量点位的铜厚，得到其铜厚均匀性数据；根据铜厚均匀性数据判断各测量点位是否需要进行补偿蚀刻，并计算需进行补偿蚀刻的补偿喷压；获取待蚀刻板件实时位置，检测到待蚀刻板件位于补偿范围内时，将计算得到的补偿喷压下发至对应定喷喷嘴，当蚀刻板件上待补偿的测量点位位置移动至对应定喷喷嘴时，令定喷喷嘴按照计算的补偿喷压进行补偿。本发明通过铜厚均匀性数据测量，对不符合标准的待蚀刻板件部位计算对应定喷开关的补偿喷压并进行蚀刻补偿，可实现对产品铜厚均匀性的实时动态自动补偿，提高了蚀刻补偿的精确度和补偿效率。

天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可74个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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