长江存储申请半导体器件制造方法专利，提升存储器系统性能_资讯

长江存储申请半导体器件制造方法专利，提升存储器系统性能

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2026-01-01 09:10:06

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件的制造方法、半导体器件及存储器系统”的专利，公开号CN121240452A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体器件的制造方法、半导体器件及存储器系统。该方法包括：形成包括交替叠置的介电层和牺牲层的初始堆叠结构；形成贯穿初始堆叠结构的多个第一孔、至少一个第二孔以及多个第三孔，其中，多个第一孔和至少一个第二孔沿第一方向共线排布，多个第三孔沿第一方向共线排布，多个第一孔位于阵列区，多个第三孔位于连接区，第一方向垂直于初始堆叠结构的堆叠方向；利用多个第一孔、至少一个第二孔以及多个第三孔刻蚀初始堆叠结构，使多个第一孔彼此连通为第一栅线缝隙结构，多个第三孔彼此连通为第二栅线缝隙结构，第一栅线缝隙结构与刻蚀后的至少一个第二孔之间保留初始堆叠结构；以及利用至少一个第二孔形成隔离结构。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1437次，财产线索方面有商标信息975条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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