长江存储申请半导体器件及其制造方法专利，提高存储阵列与外围电路的集成度_资讯

长江存储申请半导体器件及其制造方法专利，提高存储阵列与外围电路的集成度

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2025-12-30 19:38:30

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121241671A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，提供了半导体器件和制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体器件包括存储阵列结构和与所述存储阵列结构连接的外围电路结构。所述存储阵列结构包括：晶体管层，包括垂直晶体管的多个阵列；储存层，包括与所述垂直晶体管耦合的电容器的多个阵列；多条位线，与所述垂直晶体管耦合；以及第一互连层，包括与所述多条位线连接的第一互连结构和与所述多位线分离并连接到公共电节点的第二互连结构。所述外围电路结构包括：第二互连层，包括与所述第一互连结构连接的第三互连结构，以及感测放大器电路，与所述第三互连结构连接。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1436次，财产线索方面有商标信息843条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法投资电路位线晶体管结构集成度专利阵列器件半导体

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