半导体元件工业申请全局快门传感器及其操作方法以及成像系统专利，能够响应于入射光来聚积电荷_资讯

半导体元件工业申请全局快门传感器及其操作方法以及成像系统专利，能够响应于入射光来聚积电荷

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2025-12-30 19:10:08

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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“全局快门传感器及其操作方法以及成像系统”的专利，公开号CN121239983A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开涉及全局快门图像传感器、成像系统和用于操作全局快门图像传感器的方法。该全局快门图像传感器包括像素阵列和控制器。该像素阵列包括校正像素和定位在该校正像素周围的多个图像像素。该校正像素和该多个图像像素中的每个图像像素包括光电探测器、存储二极管和帧转移晶体管。该光电探测器被配置为响应于入射光来聚积电荷。该帧转移晶体管耦接在该光电探测器和该存储二极管之间。第一行驱动器耦接到该多个图像像素中的每个图像像素中的该帧转移晶体管。第二行驱动器耦接到该校正像素中的该帧转移晶体管。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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