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深圳镓楠半导体申请降低栅极漏电的增强型HEMT结构专利，提高栅极的可靠性

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2025-12-29 18:10:19

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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种降低栅极漏电的增强型HEMT结构及其制造方法”的专利，公开号CN121218671A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种降低栅极漏电的增强型HEMT结构，包括：衬底、外延结构、形成在外延结构上的栅极、漏极和源极，其中，栅极包括形成在外延结构上的P‑GaN层和栅金属，栅金属小于P‑GaN层，从而形成P‑GaN肩膀；栅金属包括第一栅金属层和第二栅金属层，第一栅金属层形成在第二栅金属层的上方；第二栅金属层形成在P‑GaN层的上方，第一栅金属层的侧壁由Spacer工艺形成，第二栅金属层由TRIM工艺形成。通过生长第一栅金属层和第二栅金属层，然后采用Spacer工艺和部分Trim工艺既保证了栅金属的形貌，又避免P‑GaN表面离子损伤，保障了表面界面态，提高栅极的可靠性。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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