联芯申请半导体测试结构及测试方法专利，测试线路层为方波形图案提升测试精度_资讯

联芯申请半导体测试结构及测试方法专利，测试线路层为方波形图案提升测试精度

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2025-12-27 18:08:30

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国家知识产权局信息显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司申请一项名为“半导体测试结构以及半导体结构的测试方法”的专利，公开号CN121215657A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体测试结构以及半导体结构的测试方法，其中半导体测试结构包含一基底，多个栅极结构位于该基底上，多个薄膜电阻层，各该薄膜电阻层分别位于该多个栅极结构中的其中一个栅极结构的上方，且该多个薄膜电阻层位于一介电层中，一测试线路层，位于该介电层上，其中从一俯视图来看，该测试线路层为一方波形图案，以及两接触垫，分别连接该测试线路层的两端。

天眼查资料显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1619779.4万人民币。通过天眼查大数据分析，联芯集成电路制造（厦门）有限公司参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可321个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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