国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121215607A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构形成方法包括：在第一介质层上方形成刻蚀停止层，其中，所述刻蚀停止层的刻蚀速率小于所述第一介质层；在所述刻蚀停止层内形成第一沟槽；利用所述第一沟槽形成第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第一沟槽的上方，所述第一沟槽与所述第二沟槽之间具有台阶结构；刻蚀所述第二沟槽和第一沟槽，形成键合垫过孔，并同时使所述第二沟槽缓慢向下延伸。本申请提供的半导体结构形成方法通过在第一介质层上方增加刻蚀速率小于第一介质层的刻蚀停止层的方式，使得在形成键合垫过孔时，沟槽和过孔间的台阶结构不会因为刻蚀速率过高而被破坏，保证台阶结构处的关键尺寸不被扩大，提高半导体器件的稳定性。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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来源：市场资讯