青争科技申请低温芯片封装导电银浆专利，实现较低温度下的烧结_资讯

青争科技申请低温芯片封装导电银浆专利，实现较低温度下的烧结

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2025-12-27 10:09:17

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国家知识产权局信息显示，青争科技有限公司申请一项名为“一种低温芯片封装导电银浆及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121215328A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明属于大尺寸芯片封装技术领域，具体公开了一种低温芯片封装导电银浆及其制备方法和应用。所述低温芯片封装导电银浆包括：导电银粉50‑95wt%、有机载体5‑40wt%和分散剂0.3‑10wt%；所述导电银粉由微米级片状银粉和纳米级球形银粉组成，所述导电银粉中，微米级片状银粉的含量为65‑70wt%，纳米级球形银粉的含量为20‑60wt%。本发明实现较低温度下的烧结；又可以溶解粘结剂及其它有机添加剂，使制备的混合型导电银浆具有更优异的力学及电学性能。

天眼查资料显示，青争科技有限公司，成立于2021年，位于长沙市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，青争科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示低温导电烧结投资青争芯片 wt% 专利银粉银浆纳米级球形

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