青争科技申请低温芯片封装导电银浆专利,实现较低温度下的烧结
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2025-12-27 10:09:17
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国家知识产权局信息显示,青争科技有限公司申请一项名为“一种低温芯片封装导电银浆及其制备方法和应用”的专利,公开号CN121215328A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本发明属于大尺寸芯片封装技术领域,具体公开了一种低温芯片封装导电银浆及其制备方法和应用。所述低温芯片封装导电银浆包括:导电银粉50‑95wt%、有机载体5‑40wt%和分散剂0.3‑10wt%;所述导电银粉由微米级片状银粉和纳米级球形银粉组成,所述导电银粉中,微米级片状银粉的含量为65‑70wt%,纳米级球形银粉的含量为20‑60wt%。本发明实现较低温度下的烧结;又可以溶解粘结剂及其它有机添加剂,使制备的混合型导电银浆具有更优异的力学及电学性能。

天眼查资料显示,青争科技有限公司,成立于2021年,位于长沙市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析,青争科技有限公司共对外投资了3家企业,财产线索方面有商标信息7条,专利信息2条,此外企业还拥有行政许可1个。

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来源:市场资讯

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