松山湖材料实验室申请超导材料交流损耗测试装置及方法专利,可获取超导材料的交流损耗
创始人
2025-12-26 19:09:47
0

国家知识产权局信息显示,松山湖材料实验室;中色创新研究院(天津)有限公司申请一项名为“一种超导材料的交流损耗测试装置及方法”的专利,公开号CN121208450A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本发明公开了一种超导材料的交流损耗测试装置及方法,超导材料包括基带缓冲层、第一超导层和第二超导层,第一超导层和第二超导层位于基带缓冲层相对两侧,超导材料的交流损耗测试装置包括:第一电流导带、第二电流导带、连接导电结构信号检测装置和交流电源模块;第一电流导带与第一超导层的第一端电连接,第二电流导带与第二超导层的第一端电连接,第一超导层的第二端与第二超导层的第二端通过连接导电结构电连接;第一电流导带接收交流电源信号的L相电源信号,第二电流导带接收交流电源信号的N相电源信号;信号检测装置被配置为:获取超导材料的检测电流和检测电压,并根据检测电流和检测电压获取超导材料的交流损耗。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

相关内容

热门资讯

博流智能申请SoC芯片管脚复用... 国家知识产权局信息显示,博流智能科技(南京)有限公司申请一项名为“SoC芯片管脚复用系统及方法”的专...
托伦斯精密申请半导体焊接管漏率... 国家知识产权局信息显示,托伦斯精密制造(江苏)股份有限公司申请一项名为“一种半导体焊接管类零件焊接后...
华虹半导体申请化学气相沉积方法... 国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“化学气相沉积方法”的专利,公开号CN...
京仪装备新注册《H110半导体... 证券之星消息,近日京仪装备(688652)新注册了3个项目的软件著作权,包括《H110半导体专用温控...
中芯国际申请半导体结构的形成方... 国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专...
汉朔科技公布国际专利申请:“驱... 证券之星消息,根据企查查数据显示汉朔科技(301275)公布了一项国际专利申请,专利名为“驱动芯片及...
原创 时... 时隔四年,小米MIX系列旗舰即将回归。多方网络信息显示,代号MIX5的新机预计于2026年第三季度发...
一加15T搭载电竞网络芯片G2... 今天,一加继续对全新的一加 15T 手机进行新机剧透。 据介绍,一加15T的信号能力是按对标大屏性能...
铠侠申请半导体集成电路专利,提... 国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体集成电路”的专利,公开号CN121710...