长飞先进申请半导体器件及制备方法专利，提高碳化硅半导体的迁移率_资讯

长飞先进申请半导体器件及制备方法专利，提高碳化硅半导体的迁移率

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2025-12-26 15:08:35

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国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121218651A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件包括相对设置第一表面和第二表面的半导体本体。半导体本体还包括设置于第一表面、第一区域，以及阱区。半导体器件还包括钝化层、栅极结构、源极和漏极。钝化层设置于第一表面，钝化层至少覆盖第一区域和阱区。钝化层的材料包括二维氮化硼、二维锗烯、氮化镓或氧化镓中的至少一种。栅极结构设置于钝化层的远离半导体本体的一侧。源极置于第一表面。漏极设置于第二表面。通过在第一表面设置钝化层提高碳化硅半导体的迁移率。

天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资半导体表面包括碳化硅专利安徽钝化层器件阱区源极

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