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华太电子申请GaN HEMT器件专利，降低接地结构寄生电阻

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2025-12-26 13:38:04

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国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT器件”的专利，公开号CN121218638A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种GaN HEMT器件，包括：第二掺杂类型的衬底；缓冲层，形成在所述衬底之上；GaN HEMT结构层，所述GaN HEMT结构层包括有源区和高阻区；第一深孔，自高阻区的上表面向下形成，且第一深孔的底端进入到衬底内；第二掺杂类型区，形成在第一深孔的孔壁和底壁处；其中，第二掺杂类型区的掺杂浓度大于第二掺杂类型的衬底，第二掺杂类型的衬底和第二掺杂类型区形成同掺杂类型连接；金属接地结构，形成在所述第二掺杂类型区所围成的空间内，且与所述第二掺杂类型区连接。本申请解决了传统GaN HEMT器件的衬底和接地金属之间的连接比接触电阻率较大，导致接地结构的寄生电阻较大的技术问题。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息59条，专利信息494条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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