前言

充电头网获悉，12月3日安森美已与英诺赛科签署合作备忘录，拟基于英诺赛科成熟的8英寸硅基氮化镓工艺，评估扩展40~200V氮化镓功率器件应用的机会，并计划将安森美在系统集成、驱动芯片与封装领域的优势与英诺赛科的大规模8英寸氮化镓晶圆制造能力深度结合。

现阶段，随行业对高功率密度电源的需求持续上行，传统硅器件在开关速度、导通损耗和体积方面越来越逼近极限。氮化镓以更高频、更高效率和更小封装，为“更小的体积传递更大的功率”提供可能。且据行业有关机构预测，到2030年，氮化镓在全球功率半导体市场中的份额有望提升至约11%，对应约29亿美元的市场规模，这一合作也正是围绕这一增长风口的前瞻布局。

技术互补，携手共赢

安森美长期深耕功率半导体与系统级电源方案，既拥有驱动IC、控制器、功率器件，也具备丰富的封装技术和系统集成能力；英诺赛科则凭高产能晶圆厂，在氮化镓器件规模化量产上处于行业前列。且通过这种的协同模式，安森美可丰富旗下的智能功率组合产品线，形成硅、碳化硅以及氮化镓三大功率技术完整链路，并加速新品导入与量产节奏。

根据双方披露的规划，未来合作将重点服务工业与能源、汽车电子、通信基础设施、消费与大众市场、AI数据中心等诸多场景。通过借助氮化镓器件的高频、低损耗优势，以实现更低的系统成本和更高整机效率。通过安森美的系统级设计能力叠加英诺赛科的氮化镓晶圆平台，这些优势更容易以成熟可靠的产品形态呈现给终端客户，加快产品上市节奏并降低的系统总成本。

充电头网总结

充电头网了解到，如果本次合作按规划推进，安森美预计将在2026年上半年启动相关产品的样品送样。届时，安森美将进一步补齐中低压氮化镓领域矩阵；英诺赛科则凭借其8英寸晶圆氮化镓平台与高产能制造能力，进一步巩固其在全球氮化镓产业链中的关键地位。且对于整个行业而言，本次安森美与英诺赛科深度合作，将有助于推动功率半导体迈入一个集成度更高的新阶段。