智通财经APP获悉，广发证券发布研报称，存储技术升级迈向双晶圆堆叠架构(存储晶圆+逻辑晶圆)，以实现系统整体的更优性能。逻辑晶圆有望走向代工模式，借助最适工艺实现产业协同发展。未来，国内也有望依托丰富的逻辑代工资源，实现存储IDM和逻辑代工的产业协同发展。随着AI领域逐步实现技术落地和迭代更新，相关配套产业链有望充分受益。建议关注晶圆代工和上游半导体设备等相关公司。

广发证券主要观点如下：

存储技术升级迈向双晶圆堆叠架构(存储晶圆+逻辑晶圆)

在3DNAND方面，国内的Xtacking技术和海外的BiCS技术，已经实现了3DNAND中存储阵列和逻辑电路的分立加工和集成的技术应用，并且在产品性能上表现优异。例如，长江存储的Xtacking架构，通过将存储单元与逻辑电路分离设计与制造，再通过混合键合技术集成，实现了更快的I/O速度、更高的存储密度和更强的可靠性，自六年前首次发布Xtacking技术以来，长江存储已将NAND的IO接口速度从最初的800MT/s提升至如今的3.6GT/s，实现了超过4倍的飞跃。在DRAM方面，未来DRAM芯片也有望借助CBA技术实现架构升级，CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制单元晶圆分开制造，并在制造完成后通过熔融键合或混合键合等工艺将两片晶圆键合在一起，以实现系统整体的更优性能。例如，针对新一代DRAM，三星和SK海力士正在研发在不同晶圆上制造存储单元和外围电路，并通过混合键合将其连接，从而实现提高存储单元密度等优化。

逻辑晶圆有望走向代工模式，借助最适工艺实现产业协同发展

在存储技术朝存储-逻辑双晶圆堆叠进行架构升级的过程中，逻辑晶圆的制造可望在原本IDM模式基础上，导入代工模式，这可使逻辑晶圆采用与存储晶圆不同的制程和工艺技术，并借助逻辑代工产业中的HKMG、FinFET等技术，进一步优化系统级性能。例如，三星在其第10代V-NAND中，使用其逻辑工艺在单独的晶圆上制造外围电路(包括行解码器、感应放大器、缓冲器、电压发生器、I/O)。另一方面，SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E都是基于公司自身制程工艺制造了Base die，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑工艺，若在Base die采用超细微工艺可以增加更多的功能。未来，国内也有望依托丰富的逻辑代工资源，实现存储IDM和逻辑代工的产业协同发展。

AI驱动存储景气上行，存储代工有望加速发展

当前AI推理等应用需求的持续扩张，显著推升了存储行业景气度，存储制造端的产能扩张和技术升级迫切性提升。作为未来存储产业的新兴模式之一，以逻辑晶圆代工为特征的存储代工模式有望落地并快速发展从而更高效地改善半导体产品的性能、面积、成本和上市时间。随着该领域逐步实现技术落地和迭代更新，相关配套产业链有望充分受益。

风险提示

市场需求不及预期，技术研发不及预期，客户开拓不及预期。

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