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鹏芯微申请半导体结构及其制作方法专利，能形成有源区

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2025-12-09 16:08:44

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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121099629A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底，衬底包括半导体主体；形成包覆半导体主体部分区域的牺牲结构；半导体主体沿第一方向延伸、且贯穿牺牲结构，牺牲结构沿第二方向延伸；第二方向与第一方向相交；形成至少覆盖牺牲结构的侧壁的第一掩膜层以及第二掩膜层，侧壁沿第三方向延伸；第一掩膜层位于牺牲结构与第二掩膜层之间；第一方向、第二方向构成的平面与第三方向相交；对第一方向上至少部分相邻牺牲结构之间的半导体主体执行蚀刻，形成第一凹槽；去除牺牲结构侧壁上的第二掩膜层以显露所述第一掩膜层；在第一凹槽中形成有源区。

天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可215个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造显示主体投资方向深圳市导体集成电路结构专利侧壁有源区半导体膜层

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